場效應(yīng)晶體管一氧化碳傳感器
文章來源：本站 發(fā)布時間：2020-05-19
場效應(yīng)晶體管一氧化碳傳感器可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管(J-FET)與絕緣柵極晶體管(FET) 或稱金屬氧化物-硅場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。
三者都可制成P或N通路，但J-FET僅有孔穴型，MOS-FET則有增強(qiáng)型與孔穴型。其工作原理實際在半導(dǎo)體(如SiO2) 層上淀積一層絕緣物質(zhì)(常用高分子材料)，當(dāng)外加一電場在柵極時，則可控制通路中所通過的電流大小。
根據(jù)以上原理，若有氣體吸附在絕緣層上，并且在絕緣層下的附近半導(dǎo)體產(chǎn)生一電子堆集成空穴區(qū)時，則會影響到電子通路中的阻力，在適當(dāng)電路設(shè)計下如果維持電流不變，則柵極電壓的變化與氣體濃度成一函數(shù)關(guān)系，便可達(dá)到檢測氣體體積分?jǐn)?shù)的目的。
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