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金屬半導體材料是最早應用于氨氣傳感器的一類材料，而且目前大部分的氨氣傳感器仍采用SnO2半導體材料。該材料主要是依靠接觸氨氣前后的電導率變化進行檢測，不少學者對單一的金屬半導體材料進行摻雜改性，獲得了不錯的效果。Vibha Srivastava 等分別用Pt、 Pd、Au摻雜WO3，對比發(fā)現(xiàn)Pt摻雜的材料在450℃下獲得最好響應，響應時間15s，檢測限為15ppm。

大部分金屬半導體傳感器的溫度應用范圍在200～500℃，為此，Patil D R等制作了 Cr2O3激活ZnO薄膜，能夠在室溫下使用，對300ppm的氨氣響應時間小于25s，恢復時間小于75s，靈敏度達到14。Petrov VV等在材料結(jié)構(gòu)方面做了研究，合成了SiO2-SnOx-AgOy 材料，最低使用溫度是50℃，材料具有孔狀結(jié)構(gòu)，對20～250ppm的氣體有較好響應。

同時又有不少新的半導體材料加入到氨氣傳感器的行列中。如：Chaudhari GN等通過溶膠-凝膠法制得LaCO0.8Fe0.2O3 半導體材料，摻雜0.3%Pd(wt)時，在200℃以上溫度工作條件下獲得了較好的響應。Sagade Abhay A等發(fā)現(xiàn)Cu1.4 S在200ppm下靈敏度達到了2。

選擇性差是半導體材料應用的最大缺陷，Guo Pengfeng等研究了Ti摻雜In2O3材料，發(fā)現(xiàn)改性材料對NH3、CO、H2 均有響應，這給它的應用帶來困難。